2025年度

後期

半導体光デバイス特論

講義

Advanced Semiconductor Photonic Devices

Z0800002 半導体光デバイス特論 [対面]

山口 智広

2.0単位

金曜5限

八王子

04-255講義室

A 専攻する研究領域における高度な専門知識を身につけたもの 100%
B 科学技術を運用する能力を身につけたもの　0%
C 主体的に研究に取り組み、社会や職業についての知識や技術者や研究者として必要な倫理観を身につけたもの　0%
D 特定の専門領域における創成能力を身につけたもの　0%

半導体光デバイス特論では、光デバイス動作原理を理解する上で必要となる半導体結晶材料やそれらの接合、ヘテロ接合により生み出される量子効果などの基礎的事項を学ぶ。また、光デバイスを生み出している結晶成長技術や評価技術、デバイスプロセス技術までの幅広い知識を得ることをめざす。

半導体に関する基礎事項の知識を有する

反転授業／プレゼンテーション／クリッカー・タブレット等ICTを活用した双方向授業

１．光エレクトロニクスの背景
２．半導体光デバイスと波長帯
３．結晶構造と結晶物理
４．エネルギー準位・バンド構造
５．基幹半導体材料
　　Si、化合物半導体、ワイドギャップ半導体
６．半導体接合−１
　　ホモ接合、ヘテロ接合、バンドアラインメント、バンドオフセット
７．半導体接合−２
　　金属/半導体接合、絶縁体/半導体接合
８．量子効果
９．結晶成長
１０．結晶構造，電子輸送特性，光吸収・発光特性の評価法
１１．半導体デバイスプロセス技術
１２．半導体光デバイス−１
　　ＬＥＤ, 太陽電池
１３．半導体光デバイス−２
　　レーザー
１４. 課題調査
１５．授業の振り返り

理解度を確認するためのレポート（５割）と、出席状況（５割）を総合して学習の達成度を評価する。

学生により提出された課題やプレゼンテーション内容の講評を通してフィードバックする

なし

原書6版 光エレクトロニクス 展開編　ヤリーヴ—イェー著 (in Japanese)
半導体デバイスの基礎　B.L. アンダーソン、R.L. アンダーソン著 (in Japanese)
電子デバイスの基礎と応用 長谷川文夫、本田徹著 (in Japanese)

金曜日　14：10〜16：00（八王子校舎・5号館804号室）
そのほかの時間を希望する学生は、あらかじめメールでコンタクトをとるように。
メールアドレス：ｃｔ１３３５４＠ns.kogakuin.ac.jp（すべて半角文字）

受講人数等を踏まえ、実施事項・方法を変更することもある。

実務家担当科目ではない

該当なし