Semiconductor Engineering II

開講年度

2025Year

開講学期

First Semester

科目名

Semiconductor Engineering II

授業種別

Lecture

科目名（英語）

Semiconductor Engineering II

授業情報(授業コード・クラス・授業形態)

A0800005 Semiconductor Engineering II

担当教員

YAMAGUCHI Tomohiro

単位数

2.0Credits

曜日時限

Tue.2Period

キャンパス

Shinjuku Campus

教室

A-0811教室

学位授与の方針

1 基礎知識の修得 10 ％
2 専門分野の知識・専門技術の修得 80 ％
3 汎用的問題解決力の修得 10 ％
4 道徳的態度と社会性の修得 0 ％

具体的な到達目標

半導体工学Ⅰで学んだ半導体の基礎事項に加え、バイポーラ・ユニポーラトランジスタを含めた電子基礎デバイスの動作原理を学ぶ。さらに、それらを踏まえ、メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深める。（1）トランジスタの動作原理を理解し、説明できる。（2）メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深め、説明できる。

受講にあたっての前提条件

本科目は[Ⅲ群]専門科目の導入科目となる。

授業の方法とねらい

半導体工学Ⅰで学んだ半導体の基礎事項に加え、バイポーラ・ユニポーラトランジスタを含めた電子基礎デバイスの動作原理を学ぶ。さらに、それらを踏まえ、メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深める。
（1）トランジスタの動作原理を理解する。
（2）メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深める。

AL・ICT活用

Flip Teaching／Interactive classes using ICT

第1回

授業形態

対面

事前学習

予習＞テキストすべてに目を通し、講義の概要をつかむ

1.5時間

授業内容

ガイダンス
本講義の位置づけ、本講義のねらいや到達目標を理解する

事後学習・事前学習

復習＞本講義の位置づけ、本講義のねらいや到達目標を確認する
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第2回

授業形態

対面

授業内容

半導体工学Ⅰの復習−１
固体のエネルギーバンドについて振り返る
＜テキスト２章＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第3回

授業形態

対面

授業内容

半導体工学Ⅰの復習−２
半導体中の電子・正孔の電気伝導について振り返る
＜テキスト２〜４章＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第4回

授業形態

対面

授業内容

pn接合とショットキー接合
pn接合（半導体工学Ⅰの復習）とショットキー接合の違いについて理解する
＜テキスト４章＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第5回

授業形態

対面

授業内容

バイポーラトランジスタ
バイポーラトランジスタの動作原理について理解する
＜テキスト５章＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第6回

授業形態

対面

授業内容

ユニポーラトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴを中心に）
ＭＯＳダイオードの動作原理について理解する
＜テキスト６章（p.75〜p.90）＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第7回

授業形態

対面

授業内容

４〜６章の復習

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第8回

授業形態

別欄もしくは授業内で通知

授業内容

集積回路、パワーデバイス
ダイオード・バイポーラトランジスタ・ユニポーラトランジスタの動作原理を踏まえて集積回路、パワーデバイスについて知識を深める
＜テキスト１３章他＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第9回

授業形態

対面

授業内容

イメージセンサ・メモリ・記録
ダイオード・ユニポーラトランジスタの動作原理を踏まえて半導体メモリの構成、磁気・光記録について知識を深める
＜テキスト７・８章＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第10回

授業形態

対面

授業内容

ディスプレイ
・ブラウン管、液晶、プラズマ、有機ＥＬなどのディスプレイについて幅広く知識を深める
・ディスプレイと半導体との関わりについて知識を深める
＜テキスト９章＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第11回

授業形態

対面

授業内容

化合物半導体と光デバイス−１
ダイオードの動作原理を踏まえて発光ダイオード、レーザダイオードについて知識を深める
＜テキスト１０〜１２章＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第12回

授業形態

対面

授業内容

化合物半導体と光デバイス−２
ダイオードの動作原理を踏まえて光検出器、太陽電池について知識を深める
＜テキスト１０、１２章＞

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞テキストの講義で扱う予定の範囲を一読する

3時間

第13回

授業形態

別欄もしくは授業内で通知

授業内容

７〜１２章の復習

事後学習・事前学習

復習＞テキストの講義で扱った範囲を一読し理解を深める（特に図が示していることを説明できるようにする）　　　
予習＞授業で扱った範囲全体の理解度を確認する

4.5時間

第14回

授業形態

対面

授業内容

試験

事後学習・事前学習

復習＞テスト実施を踏まえ、できなかった箇所について復習する

3時間

第15回

授業形態

遠隔（オンデマンド）

授業内容

授業内容の振り返り

事後学習

復習＞授業の振り返りを行い、下記事項を達成できたか振り返る。
（1）トランジスタの動作原理を理解する。
（2）メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深める。

1.5時間

成績評価の方法

原則として、試験60％、レポート・課題40％の割合とし、到達目標に照らして6段階のGrade(A+,A,B,C,D,F)で評価し、D以上の者に単位を認める。

受講生へのフィードバック方法

講義期間中、複数回予定している課題の解説、および、第15回：授業内容の振り返りを通してフィードバックを行う。

教科書

「電子デバイスの基礎と応用」長谷川文夫・本田　徹　共著（産業図書）

参考書

「半導体デバイス-基礎理論とプロセス技術」：S.M. ジィー（産業図書）

オフィスアワー

金曜日　13：20〜14：10（新宿校舎・弱電実験室）
そのほかの時間を希望する学生は、あらかじめメールでコンタクトをとるように。
メールアドレス：ｃｔ１３３５４＠ns.kogakuin.ac.jp（すべて半角文字）

受講生へのメッセージ

この科目で学ぶ事柄は専門科目の基礎となるので、十分に内容を消化するよう努力すること。
今年度の授業実施方法については、受講人数等を踏まえ変更することもある。

実務家担当科目

Not applicable

実務経験の内容

教職課程認定該当学科

Not applicable

その他の資格・認定プログラムとの関連

Syllabus data